专业技术解决方案

为半导体制造各环节提供定制化材料应用方案

前道工艺方案
先进封装方案
显示面板方案
化合物半导体方案
前道工艺解决方案

高分辨率光刻整体方案

针对7nm以下先进制程,提供从光刻胶、抗反射涂层到显影液的全套材料解决方案,优化图形转移精度和良率。

超高分辨率

支持14nm以下线宽,LWR ≤ 1.5nm

低缺陷率

缺陷密度 ≤ 0.05/cm²,提升良率15%以上

宽工艺窗口

曝光宽容度 ≥ 15%,提高工艺稳定性

查看相关产品
CMP抛光解决方案

CMP抛光整体方案

为铜/钴/钨等金属互连层提供高性能抛光液和抛光垫组合,实现全局和局部平坦化。

高去除率

铜去除率 ≥ 5000Å/min,提高生产效率

低缺陷

划痕缺陷 ≤ 0.01/cm²,提高器件可靠性

查看相关产品
先进封装解决方案

2.5D/3D封装材料方案

为TSV、微凸块等先进封装工艺提供全套高分子材料解决方案,包括临时键合胶、介电材料等。

低温工艺

键合温度 ≤ 200°C,减少热应力

高平整度

表面粗糙度 ≤ 0.5nm,满足高密度互连需求

查看相关产品
底部填充解决方案

高可靠性底部填充方案

为Flip Chip封装提供低粘度、快速流动的底部填充材料,提高封装可靠性和寿命。

快速流动

填充时间 ≤ 30秒,提高生产效率

低热膨胀系数

CTE ≤ 25ppm/°C,减少热应力

查看相关产品
OLED显示解决方案

OLED显示材料方案

为OLED显示面板制造提供高性能电子传输层、空穴注入层等关键功能材料。

高发光效率

EQE ≥ 25%,降低功耗

长寿命

LT95 ≥ 10,000小时 @ 1000nits

宽色域

NTSC ≥ 110%,色彩更鲜艳

查看相关产品
TFT背板解决方案

TFT背板材料方案

为LCD/OLED提供高性能半导体层、介电层和电极材料,满足高分辨率和高刷新率需求。

高迁移率

μFE ≥ 15cm²/Vs,支持8K分辨率

低漏电流

Ioff ≤ 1pA/μm,降低功耗

查看相关产品
GaN功率器件解决方案

GaN功率器件材料方案

为GaN HEMT器件提供高性能钝化层、衬底材料和电极材料,提高器件可靠性和效率。

高击穿电压

BV ≥ 650V,满足高压应用

低界面态密度

Dit ≤ 1×10¹²/cm²,提高器件稳定性

查看相关产品
SiC功率器件解决方案

SiC功率器件材料方案

为SiC MOSFET/SBD提供高性能栅介质、钝化层和金属化材料,优化高温高压性能。

高温稳定性

工作温度 ≥ 200°C,适合严苛环境

低接触电阻

Rc ≤ 1×10⁻⁵Ω·cm²,降低导通损耗

查看相关产品

技术方案咨询

我们的专家将为您提供定制化解决方案