为半导体制造各环节提供定制化材料应用方案
针对7nm以下先进制程,提供从光刻胶、抗反射涂层到显影液的全套材料解决方案,优化图形转移精度和良率。
支持14nm以下线宽,LWR ≤ 1.5nm
缺陷密度 ≤ 0.05/cm²,提升良率15%以上
曝光宽容度 ≥ 15%,提高工艺稳定性
为铜/钴/钨等金属互连层提供高性能抛光液和抛光垫组合,实现全局和局部平坦化。
铜去除率 ≥ 5000Å/min,提高生产效率
划痕缺陷 ≤ 0.01/cm²,提高器件可靠性
为TSV、微凸块等先进封装工艺提供全套高分子材料解决方案,包括临时键合胶、介电材料等。
键合温度 ≤ 200°C,减少热应力
表面粗糙度 ≤ 0.5nm,满足高密度互连需求
为Flip Chip封装提供低粘度、快速流动的底部填充材料,提高封装可靠性和寿命。
填充时间 ≤ 30秒,提高生产效率
CTE ≤ 25ppm/°C,减少热应力
为OLED显示面板制造提供高性能电子传输层、空穴注入层等关键功能材料。
EQE ≥ 25%,降低功耗
LT95 ≥ 10,000小时 @ 1000nits
NTSC ≥ 110%,色彩更鲜艳
为LCD/OLED提供高性能半导体层、介电层和电极材料,满足高分辨率和高刷新率需求。
μFE ≥ 15cm²/Vs,支持8K分辨率
Ioff ≤ 1pA/μm,降低功耗
为GaN HEMT器件提供高性能钝化层、衬底材料和电极材料,提高器件可靠性和效率。
BV ≥ 650V,满足高压应用
Dit ≤ 1×10¹²/cm²,提高器件稳定性
为SiC MOSFET/SBD提供高性能栅介质、钝化层和金属化材料,优化高温高压性能。
工作温度 ≥ 200°C,适合严苛环境
Rc ≤ 1×10⁻⁵Ω·cm²,降低导通损耗
我们的专家将为您提供定制化解决方案